黑碳化硅的结晶介绍

　　黑碳化硅的结晶是在高温作用下凝聚，并形成的烧结体的现象，在不同的领域可制成合适的制品，拥有较好的力学性能和使用寿命。
　　黑碳化硅主要由4H变体组成的。碳化硅中的硅原子处于中心，周围是碳，各种碳化硅晶体的单位晶胞均由相同硅碳四面体构成。构成每个单位晶胞的固体的层数及各层的相对位置不同，就形成了不同类型的碳化硅。
　　黑碳化硅是一种优良的半导体材料，并且具有良好的非线性导电特性。这一特性使得碳化硅在防电晕等方面有重要应用。由于碳化硅中包含N、P、As、Sb 等五价杂质，五价杂质包含五个价电子，进入具有四个价电子的碳化硅晶格时，这些杂质就有多余的电子。这些五价杂质能放出的电子，称之为施主杂质，所形成的碳化硅具有电子导电性质，叫n型半导体。
　　而当硅过量时，由于硅有部分放出电子的能力，也使黑碳化硅变成n型半导体。n型碳化硅具有较高的电阻率和较大的电阻温度系数。当n型半导体中掺杂浓度较大时，电阻率下降非线性变得很差。就不同变体碳化硅而言，碳化硅的电阻率随6H型变体增加而提高。
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